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離子鍍是結(jié)合真空蒸鍍和濺射鍍兩種技術(shù)而發(fā)展起來的沉積技術(shù)。在真空條件下，真空鍍膜廠采用適當(dāng)?shù)姆绞绞瑰兡げ牧险舭l(fā)，利用氣體放電使工作氣體和被蒸發(fā)物質(zhì)部分電離，在氣體離子和被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下，蒸發(fā)物質(zhì)或其反應(yīng)產(chǎn)物在基體上沉積成膜。離子鍍的基本過程包括鍍膜材料的蒸發(fā)、離子化、離子加速、離子轟擊工件表面成膜。根據(jù)鍍膜材料不同的蒸發(fā)方式和氣體的離化方式，構(gòu)成了不同類型的離子鍍，下表是幾種主要的離子鍍。離子鍍具有鍍層與基體附著性能好、繞射性能好、可鍍材質(zhì)廣、沉積速率快等優(yōu)點(diǎn)。

表離子鍍的種類及其特點(diǎn)

直流放電法  電阻  輝光放電dc:0.1kv～5kv  惰性氣體1pa，0.25ma/cm2  結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，膜層結(jié)合力強(qiáng)，但鍍件溫升高，分散性差！

耐熱，潤(rùn)滑等鍍件

弧光放電法  電子束、燈絲  弧光放電dc:100v高真空1.33x10-4pa  離化率高，易制成反應(yīng)膜，耳機(jī)配件真空電鍍加工廠，可在高真空下成膜，利于提高質(zhì)量  切削工具、金屬裝飾等鍍件

空心陰極法  空心陰極  等離子體電子束dc:0v～200v

惰性氣體或反應(yīng)氣體  離化率高，蒸發(fā)速度大，易獲得高純度膜層  裝飾、耐磨等鍍件

調(diào)頻激勵(lì)法  電阻、電子束  射頻電場(chǎng)13.56mhzdc:0.1kv～5kv

惰性氣體或反應(yīng)氣體  離化率高，膜層結(jié)合力強(qiáng)，鍍件溫升低，但分散性差  光學(xué)、半導(dǎo)體等鍍件

電場(chǎng)蒸發(fā)法  電子束  二次電子dc:1kv～5kv

真空電鍍的前處置在電鍍出產(chǎn)線上是電鍍技術(shù)中十分關(guān)鍵的一步，基體資料外表處置的好壞直接影響鍍層的質(zhì)量，因而應(yīng)對(duì)電鍍前處置恰當(dāng)?shù)淖⒅亍?/p>

鍍件的鍍前處置是決議電鍍質(zhì)量的重要要素之一。在實(shí)習(xí)出產(chǎn)中，電鍍故障率80%以上出在前處置工序，所以電鍍前處置作用的好壞就顯得尤為重要，真空電鍍廠下面詳細(xì)介紹基體的外表狀況對(duì)鍍層布局和聯(lián)系力的影響。

真空鍍膜層是由晶體或晶粒組成的，晶體的大小、形狀及擺放方法決議著鍍層的布局特性。在各種不一樣的電鍍液中，金屬鍍層的布局特性也是不一樣的，主要是堆積進(jìn)程不一樣所造成的。開端電鍍時(shí)，基體資料外表首要生成一些纖細(xì)的小點(diǎn)，耳機(jī)配件真空電鍍工廠，即結(jié)晶核，跟著時(shí)刻添加，單個(gè)結(jié)晶數(shù)量添加，并相互銜接成片，構(gòu)成鍍層。

真空電鍍廠的方法很多：

1.真空蒸鍍：將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室，抽空后將膜料加熱到高溫，使蒸氣達(dá)到約13.3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面，凝結(jié)而成薄膜。

2.陰極濺射鍍：將需鍍膜的基體放在陰極對(duì)面，把惰性氣體通入已抽空的室內(nèi)，保持壓強(qiáng)約1.33～13.3Pa，然后將陰極接上2000V的直流電源，便激發(fā)輝光放電， 真空電鍍廠帶正電的ya離子撞擊陰極，耳機(jī)配件真空電鍍哪里有，使其射出原子，濺射出的原子通過惰性氣氛沉積到基體上形成膜。

3.化學(xué)氣相沉積：通過熱分解所選定的金屬化合物或有機(jī)化合物，獲得沉積薄膜的過程。

4.離子鍍：實(shí)質(zhì)上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機(jī)結(jié)合，兼有兩者的工藝特點(diǎn)。

真空電鍍廠基體材料的外表情況是危害遮蓋才氣的關(guān)鍵因素之一。見習(xí)標(biāo)出，金屬材料在不一樣基體材料通電沉積時(shí)，陽江耳機(jī)配件真空電鍍，同一鍍液的遮蓋才氣不一樣也非常大。如用鉻酸水溶液不銹鋼，金屬鉻在銅、鎳、紫銅和鋼上沉積時(shí)，鍍液的遮蓋才氣依次下降。這是由于當(dāng)金屬離子在不一樣的基體材料上還原沉積時(shí)，其過電位的標(biāo)值有非常大的不一樣。過電位較小的分離出來電位差較正，就算在電流強(qiáng)度較低的位置也可以到達(dá)其分離出來電位差的標(biāo)值，因而其遮蓋才氣不錯(cuò)。

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